FS50R06YL4 Infineon Technologies, FS50R06YL4 Datasheet
FS50R06YL4
Specifications of FS50R06YL4
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FS50R06YL4 Summary of contents
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... Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current prepared by: P. Kanschat approved: R. Keggenhoff FS50R06YL4 T = 25° 55° 25° 1ms 55°C ...
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... Modulinduktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy FS50R06YL4 I = 50A 300V ±15V 3 25° ± ...
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... Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anpresskraft pro Feder mounting force per clamp Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance FS50R06YL4 T = 25° 100° 493 c 100 T = 25° exp[B(1/T - 1/T ...
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... Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 100 VGE = 20V 90 VGE = 15V 80 VGE = 12V VGE = 10V 70 VGE = 9V VGE = 0,0 0,5 1,0 FS50R06YL4 I V 1,0 1,5 2 1,5 2,0 2,5 3,0 3 (9) vorläufige Daten preliminary data = f 15V GE 2,5 3,0 3,5 ...
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... Tvj = 25°C 90 Tvj = 125° Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward characteristic of inverse diode (typical) 100 90 Tvj = 25°C Tvj = 125° 0,0 0,2 FS50R06YL4 [V] GE 0,4 0,6 0,8 1 (9) vorläufige Daten preliminary data 20V f ...
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... Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) 3 Eon Eoff Erec 2,5 2 1 Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) 3 Eon Eoff Erec FS50R06YL4 off V = ±15V 3 [ off V = ±15V 50A (9) vorläufige Daten preliminary data ), rec C = 300V 125°C ...
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... IGBT r i [s]: IGBT i [K/kW]: Diode r i [s]: Diode i Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) reverse bias safe operation area (RBSOA) 120 100 IC,Chip 80 IC, Modul FS50R06YL4 0,01 0 57,0 190,0 532,0 0,00075 0,02088 0,14800 75,0 210,0 885,0 0,00056 0,01240 0,12800 V = ±15V 200 400 ...
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... Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltbild circuit diagram Gehäusemaße package outline Bohrplan drilling layout FS50R06YL4 8 (9) vorläufige Daten preliminary data ...
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... Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid with the belonging technical notes. FS50R06YL4 9 (9) vorläufige Daten preliminary data ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...