BSM35GP120G Infineon Technologies, BSM35GP120G Datasheet

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BSM35GP120G

Manufacturer Part Number
BSM35GP120G
Description
IGBT Modules 1200V 35A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of BSM35GP120G

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.4 V
Continuous Collector Current At 25 C
45 A
Gate-emitter Leakage Current
300 nA
Power Dissipation
230 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM3
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM35GP120G
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
25
Part Number:
BSM35GP120G
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
530
Part Number:
BSM35GP120G
Quantity:
50
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 80 °C
T
t
T
Tc = 80 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 80 °C
t
date of publication:29.03.2001
revision: 3
BSM35GP120G
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
RRM
I
I
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
I
2
2
C
C
d
tot
F
tot
F
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
1200
1200
17,5
315
260
500
340
230
310
180
40
35
35
45
70
35
70
35
35
10
20
DB-PIM-10 (2).xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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BSM35GP120G Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin BSM35GP120G T = 80° ms 25° ms 150°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data BSM35GP120G RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

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Page 4

... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight BSM35GP120G Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical 25° 125° 0,5 1 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 70 VGE = 17V 60 VGE = 15V VGE = 13V 50 VGE = 11V VGE = 0,5 1 BSM35GP120G 1 125°C vj 1 [V] CE 5(11 3 ...

Page 6

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical 0,5 BSM35GP120G 25° 125° [ 25° 125° [V] F 6(11 2,5 3 DB-PIM-10 (2).xls ...

Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 7 Eon 6 Eoff Erec BSM35GP120G off T = 125° ± [ off T = 125° +- 7(11 600 V C rec Ohm Gon Goff ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA 200 BSM35GP120G Z thJC 0 IC,Modul IC,Chip 400 600 800 V [V] CE 8(11 ( Ohm = 125° ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 1 BSM35GP120G 1 25° 125°C 1,5 2 2,5 V [V] F 9(11 3 3,5 4 DB-PIM-10 (2).xls ...

Page 10

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 BSM35GP120G 25° 150°C 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 1,2 1,4 ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM35GP120G ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen ...

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