BSM50GD120DN2 Infineon Technologies AG, BSM50GD120DN2 Datasheet
BSM50GD120DN2
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BSM 50 GD 120 DN2 IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 50 GD 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage R ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 360 W P 280 tot 240 200 160 120 Collector current = (T ) ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 100 A 17V 15V 80 I 13V C 11V ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 120 ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 100 =125° 0.0 0.5 1.0 ...
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BSM 50 GD 120 DN2 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 8 2006-01-31 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...