TT170N Infineon Technologies, TT170N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: TT170N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TT170N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 4,600.0 A
• Itavm/tc: 170/85 (180 ° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: SCR SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Spec
N
750
500
250
0
2000
1500
1000
Netz-Thyristor-Modul
500
0
0
0
0,20
0,08
0,10
0,12
0,15
0,25
0,30
0,50
0,60
0,06
0,40
0,80
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,020
0,050
0,080
0,120
0,300
0,030
0,040
0,060
0,100
0,150
0,200
0,250
0,400
0,600
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
20
20
0,05
0,04
40
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
T
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
A
T
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
[°C]
A
[°C]
R
60
thCA
60
[°C/W]
R
thCA
Datenblatt / Data sheet
[°C/W]
80
80
~
~
A513E2
100
W 3C
100
~
~
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
RMS
Parameter:
Parameter:
TT170N
120
120
0
0
100
100
200
200
I
RMS
I
RMS
[A]
RMS
RMS
[A]
tot
tot
300
300
Seite/page
thCA
400
400
thCA
9/12
500
500