TT430N Infineon Technologies, TT430N Datasheet

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TT430N

Manufacturer Part Number
TT430N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.TT430N.pdf (13 pages)

Specifications of TT430N

Vdrm/ Vrrm (v)
1,800.0 - 2,200.0 V
Itsm
12,000.0 A
Itavm/tc
430/85 (180° el sin)
Housing
PowerBLOCK 60 mm
Features
SCR SCR Phase Control

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT430N02KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
339
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT430N04KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
292
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT430N06KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
452
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT430N08KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
134
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT430N12
Quantity:
1 000
Company:
Meier Automation Equipment Co., Limited Meier Automation Equipment Co., Limited
Part Number:
TT430N22KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
20 000
Phase Control Thyristor Module
BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther
N
1) 2400V auf Anfrage/ 2400V on request
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Zündverzug
gate controlled delay time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
approved by: J. Novotny
prepared by: C.Drilling
Netz-Thyristor-Modul
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
A 61/94
TT430N
TT430N
T
T
T
T
T
T
T
T
T
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
T
6.Kennbuchstabe / 6
6.Kennbuchstabe / 6
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
v
DIN IEC 747-6
T
T
i
D
GM
vj
vj
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= V
= 25 °C,i
= -40°C... T
= -40°C... T
= +25°C... T
= 85°C
= 75°C
= 25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= 25°C, v
= 25°C, v
= T
= T
= T
= 25°C, v
= T
date of publication:
= 25°C, v
= 1 A, di
DRM
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, v
, t
, t
, v
GM
, i
, v
, v
, v
GM
R
D
D
D
G
P
P
D
T
P
P
D
D
D
D
/dt = 1 A/µs, t
= V
= 1 A, di
= 6 V
= 6 V
= 6 V, R
revision:
= 10 ms
= 10 ms
= 1500 A
= 10 ms
= 10 ms
= 0,67 V
= 1 A, di
vj max
vj max
= 6 V, R
vj max
= 6 V
= 0,5 V
= 0,5 V
RRM
th
th
TD430N
G
letter C
letter F
DRM
DRM
A
GK
G
DRM
/dt = 1 A/µs
= 5 Ω
/dt = 1 A/µs
≥ 10 Ω
19.12.02
g
= 20 µs
1
V
V
V
I
I
I
I²t
(di
(dv
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
D
TRMSM
TAVM
TSM
GT
GD
H
L
gd
T
T
DRM
DSM
RSM
(TO)
GT
GD
, i
T
D
R
/dt)
/dt)
,V
cr
RRM
cr
1800
2200
1800
2200
1900
2300
Seite/page
Max.
Max.
Max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
980000
720000
14000
12000
2000
2400
2000
2400
2100
2500
1000
1500 mA
1,78 V
0,95 V
0,45 mΩ
0,25 V
800 A
430
510
150 A/µs
500
250 mA
300 mA
100 mA
2,2 V
10
5
4 µs
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A²s
A²s
V/µs
V/µs
mA
mA
1/12
1)

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Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request R
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Part Number:
BFP620
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP620.pdf (7 pages)
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BG3123R
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3123R.pdf (8 pages)
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Part Number:
BG3130
Description:
Manufacturer:
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Datasheet:
BG3130.pdf (6 pages)
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Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3130R.pdf (6 pages)
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Part Number:
BG3230
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3230.pdf (6 pages)
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Part Number:
BGA428
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA428.pdf (9 pages)
BGA616
Part Number:
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Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA616.pdf (8 pages)
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Part Number:
SAB-C167CR-LM
Description:
16-bit microcontroller with 2x2 KByte RAM
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
SAB-C167CR-LM.pdf (74 pages)
BFP182W
Part Number:
BFP182W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP182W.pdf (7 pages)
BFP193W
Part Number:
BFP193W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP193W.pdf (7 pages)
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Part Number:
BFP450
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP450.pdf (10 pages)
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Part Number:
BFP520
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP520.pdf (9 pages)
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Part Number:
BGA420
Description:
Si-MMIC-amplifier in SIEGET 25-technologie
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA420.pdf (8 pages)
BSM20GD60DN2
Part Number:
BSM20GD60DN2
Description:
IGBT Power Module
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BSM20GD60DN2.pdf (9 pages)
TDA4716C
Part Number:
TDA4716C
Description:
IC for switching-mode power supplies
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
TDA4716C.pdf (17 pages)

TT430N Summary of contents

Page 1

... Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time 1) 2400V auf Anfrage/ 2400V on request prepared by: C.Drilling approved by: J. Novotny BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N TT430N T = -40°C... max T = -40°C... max T = +25° ...

Page 2

... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N ...

Page 3

... N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Maßbild Maßbild Maßbild BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N 61/94 3 Seite/page 3/12 ...

Page 4

... R [°C/W] 0,0064 thn τ [s] 4,1 n Analytische Funktion / Analytical function: BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N 0,00486 0,0114 0,0223 0,0086 0,101 0,56 Luftselbstkühlung / Natural cooling 1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink Kühlkörper / Heatsink type (120W) ...

Page 5

... Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N 180° 0 [s] Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current 180° 0 0,1 t [s] Rechteckfö ...

Page 6

... Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Berechnungsgrundlage P Calculation base P BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N 180° 60° 30° 200 300 Strombelastung je Zweig / Current load per arm (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) ...

Page 7

... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Berechnungsgrundlage P Calculation base P Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N Q = 30° 60° 200 300 Strombelastung je Zweig / Current load per arm (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) ...

Page 8

... T [°C] A Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N [°C/W] D thCA + ~ - ...

Page 9

... Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N [°C/W] thCA ~ ...

Page 10

... Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated 1000 100 10 1 0,1 100 BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N Steuercharakteristik i [mA] 100 mit Zündbereichen fü with triggering area for W/10ms W/1ms W/0,5ms Zü ...

Page 11

... Phase Control Thyristor Module 10000 1000 100 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q 10.000 8.000 6.000 4.000 2.000 0 0,01 Grenzstrom / Maximum overload on-state current I BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N Sperrverzögerungsladung ≤ 0 vjmax R RRM RM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i Grenzstrom a ...

Page 12

... B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I BIP AC / 22.11.1994; A. Rüther Datenblatt / Data sheet TT430N Überstrom I = TAV (vor 100 A ...

Page 13

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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