TD215N Infineon Technologies, TD215N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: TD215N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TD215N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,800.0 - 2,200.0 V
• Itsm: 6,300.0 A
• Itavm/tc: 215/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: SCR Diode Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / MA2-BE / 22 Nov 1994, A.Rüther
N
800
600
400
200
Netz-Thyristor-Modul
2500
2000
1500
1000
0
500
0
0
0
0,06
0,08
0,10
0,12
0,40
0,50
0,60
0,15
0,20
0,25
0,30
0,80
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,03
0,40
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
0,04
0,05
0,06
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,60
0,08
20
0,05
20
0,02
0,04
40
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
T
A
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
[°C]
R
thCA
60
60
[°C/W]
R
T
thCA
Datenblatt / Data sheet
A
[°C]
[°C/W]
80
80
~
~
A69 /94
100
W 3C
100
~
~
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
RMS
Parameter:
Parameter:
TT215N
120
120
0
0
100
100
200
200
300
300
I
RMS
RMS
RMS
I
RMS
[A]
tot
tot
[A]
Seite/page
400
400
thCA
thCA
500
500
9/12
600
600