DD261N Infineon Technologies, DD261N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: DD261N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DD261N

• Vdrm/ Vrrm (v): 2,000.0 - 2,600.0 V
• Ifsm (max): 8,300.0 A
• Ifavm/tc: 260/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Rectifier Diode

BIP AC / 87-08-21, K.Spec
N
0,40
0,40
Rectifier Diode Module
0,40
1400
1200
1000
0,40
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
800
600
400
200
Netz-Dioden-Modul
0
0
0
0
0,08
0,15
0,20
0,05
0,06
0,10
0,12
0,30
0,40
0,05
0,06
0,08
0,30
0,10
0,12
0,15
0,20
0,40
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
20
20
0,04
0,04
40
40
0,03
0,03
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
0,02
T
60
60
0,02
Maximaler Strom bei B2 und B6
A
[°C]
T
A
R
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
R
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
[°C]
thCA
Datenblatt / Data sheet
thCA
80
80
[°C/W]
[°C/W]
3~
100
100
~
B6
A20/87
B2
120
120
DD261N
I
D
I
D
Parameter:
Parameter:
+
-
+
-
140
140
0
0
100
100
200
200
300
300
I
D
[A]
400
I
D
[A]
D
D
tot
tot
R-Last
400
500
Seite/page
L-Last
600
thCA
thCA
500
700
7/9
600