DZ435N Infineon Technologies, DZ435N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: DZ435N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DZ435N

• Vdrm/ Vrrm (v): 2,800.0 - 4,000.0 V
• Ifsm (max): 12,000.0 A
• Ifavm/tc: 435/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Rectifier Diode

BIP AC / 04-12-21, C. Drilling
N
Rectifier Diode Module
2500
2000
1500
1000
4000
3000
2000
1000
500
0,30
Netz-Dioden-Modul
0
0
0
0
0,300
0,025
0,030
0,040
0,050
0,060
0,080
0,120
0,300
0,020
0,100
0,150
0,200
0,020
0,025
0,030
0,040
0,050
0,080
0,100
0,150
0,060
0,300
0,200
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
20
20
0,30
0,30
0,30
40
40
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
T
60
60
Maximaler Strom bei B2 und B6
A
[°C]
T
A
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
R
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
[°C]
R
Datenblatt / Data sheet
thCA
80
80
thCA
[°C/W]
[°C/W]
3~
100
100
~
A18/04
B6
B2
120
120
DZ 435N
I
D
I
D
Parameter:
Parameter:
+
-
+
-
140
140
Rev. 1
0
0
200
200
400
400
600
I
D
[A]
I
D
800
[A]
D
D
tot
tot
600
R-Last
Vorläufige Daten
Preliminary data
Seite/page
1000
L-Last
800
thCA
thCA
1200
7/10
1000
1400