T470N Infineon Technologies, T470N Datasheet
T470N
Specifications of T470N
Related parts for T470N
T470N Summary of contents
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... Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N T = -40°C... max Elektrische Eigenschaften T = -40°C... max T = +25°C... T ...
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... Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N max TM Thermische Eigenschaften v = 100 / V/µs, - ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Massbild 1 IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N 1: Anode / Anode Kathode / Cathode 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ A 29/09 Auxiliary Cathode Seite/page 3/10 ...
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... R [°C/W] thn kathodenseitig cathode-sided [s] n Analytische Funktion / Analytical function: 0,12 0,1 0,08 0,06 0,04 0,02 0 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N 0,00024 0,00459 0,00647 0,00013 0,00156 0,01010 0,00024 0,00459 0,00647 0,00013 0,00156 0,01010 0,00024 0,00459 0,00647 0,00013 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N Durchlasskennlinie ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00906 0,01560 0,02095 0,00498 0,00779 0,01190 0,00909 ...
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... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N Durchlassverluste 180° 60° θ = 30° 150 200 250 300 I [A] TAV Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current 60° ...
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... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N Tc 180 ° 120° 90° 60° θ = 30° 200 300 400 I [A] TAV Rechteckfö ...
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... Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation 40W / 10ms 10000 1000 100 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N Steuerkennlinie i 1000 mit Zündbereichen fü with triggering area for V ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves von der Anzahl fü ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann T470N A 29/09 Seite/page 10/10 ...