D5810N Infineon Technologies, D5810N Datasheet
D5810N
Specifications of D5810N
Related parts for D5810N
D5810N Summary of contents
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... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N T = -40°C... max ° 130 ° °C, θ = 180°sin, t ...
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... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N Mechanische Eigenschaften 57/08 Seite 3 ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N 1: Anode Kathode/ A 57/08 Anode Cathode Seite/page 3/8 ...
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... Analytische Funktion / Analytical function: 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N 0,000045 0,000909 0,000852 0,001994 0,000048 0,000843 0,005420 0,057200 0,000049 0,001061 0,00118 0,000049 0,000969 0,01070 0,000049 0,001061 0,00118 0,000049 0,000969 0,01070 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00188 0,00332 0,00060 0,00110 0,00448 0,00759 0,00334 0,00489 0,00448 ...
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... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 1000 2000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N Durchlassverluste 3000 4000 5000 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N Qr Diagramm 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ 0,5 V ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann D5810N A 57/08 Seite/page 8/8 ...