T508N16TOF Infineon Technologies, T508N16TOF Datasheet - Page 2

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T508N16TOF

Manufacturer Part Number
T508N16TOF
Description
Discrete Semiconductor Modules THY/DIODE DISC 50MM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of T508N16TOF

Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
T508N16TOF
Manufacturer:
SINGATRON
Quantity:
101
Part Number:
T508N16TOF
Quantity:
32
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther
Technische Information / Technical Information
T 508 N 12 ...18
A
T
v
dv
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, ? =180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, ? =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, ? =180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
DIN 40040
f = 50Hz
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
=100V, v
vj max
, i
TM
DM
=I
= 0,67 V
TAVM
T
/dt = 10 A/µs
DRM
t
R
R
T
T
T
F
G
q
vj max
c op
stg
thJC
thCK
Seite/page 2
typ.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
N
-40...140
-40...125
Seite 3
page 3
5 ...10
0,0530
0,0500
0,0880
0,0850
0,1230
0,1200
0,0075
0,0150
250
125
100
17
50
C
µs
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
kN
g
mm
m/s²

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