BYM200B170DN2 Infineon Technologies, BYM200B170DN2 Datasheet
BYM200B170DN2
Specifications of BYM200B170DN2
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BYM200B170DN2 Summary of contents
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... V = -15V 125° 200A /dt = 3000A/µ 900V -15V 25° 900V -15V 125° 1(4) vorläufige Daten preliminary data V 1700 V CES I 200 400 A FRM 4,0 kV ISOL min. typ. max 2 130 - 190 - µ µ mWs rec - 20 - mWs DB_BYM200B170DN2_2.2.xls ...
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... This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. R thJC R thCK W/m W/m*K grease T vj max 2(4) vorläufige Daten preliminary data min. typ. max 0,150 K/W - 0,012 - K 150 °C -40 - 125 °C -40 - 125 °C stg 425 340 g DB_BYM200B170DN2_2.2.xls ...
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... BYM 200 B 170 DN2 IGBT-Modules Ü Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1,0 1,5 2,0 V [V] F 3(4) vorläufige Daten preliminary data 2,5 3,0 DB_BYM200B170DN2_2.2.xls ...
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... Technische Information / Technical Information BYM 200 B 170 DN2 4(4) vorläufige Daten preliminary data DB_BYM200B170DN2_2.2.xls ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...