FZ1800R12KL4C Infineon Technologies, FZ1800R12KL4C Datasheet

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FZ1800R12KL4C

Manufacturer Part Number
FZ1800R12KL4C
Description
IGBT Modules 1200V 1800A SINGLE
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FZ1800R12KL4C

Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Configuration
Triple Common Emitter Common Gate
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.1 V
Continuous Collector Current At 25 C
2850 A
Gate-emitter Leakage Current
600 nA
Power Dissipation
11.4 KW
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
IHM190
Ic (max)
1,800.0 A
Vce(sat) (typ)
2.1 V
Technology
IGBT2 Low Loss
Housing
IHM 190 mm
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FZ1800R12KL4C
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
FZ1800R12KL4C
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FZ1800R12KL4C
Quantity:
55
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Mark Münzer
approved by: H.Ludwig
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 28.8.1998
revision: 1a
FZ 1800 R 12 KL4C
C
C
C
P
P
C
C
C
R
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 1 ms
= 1800A, V
= 1800A, V
= 72mA, V
=25°C, Transistor
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 2400V, V
= 2400V, V
= 0V, V
p
= 10ms, T
vj
GE
C
CE
= 25°C,V
= 80°C
GE
GE
= 20V, T
GE
GE
= V
= 15V, T
= 15V, T
= 0V, T
= 0V, T
GE
1(8)
, T
Vj
CE
vj
= 125°C
vj
= 25°C
= 25V, V
vj
vj
= 25°C
vj
vj
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
GE
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
I
I
P
CE sat
CRM
FRM
GE(th)
GES
CES
I
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
F
tot
ies
t
vorläufige Daten
preliminary data
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls
+/- 20V
1200
1800
2850
3600
1800
3600
typ.
11,4
0,05
590
135
2,5
2,1
2,4
5,5
4
-
max.
600
2,6
6,5
1
-
kA
kW
mA
mA
kV
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

Related parts for FZ1800R12KL4C

FZ1800R12KL4C Summary of contents

Page 1

... Daten preliminary data V 1200 V CES I 1800 A C,nom. I 2850 3600 A CRM P 11,4 kW tot V +/- 20V V GES I 1800 3600 A FRM 2 2 590 2,5 kV ISOL min. typ. max 2,1 2 sat - 2 4,5 5,5 6,5 V GE(th 135 - nF ies CES - 600 nA GES Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 2

... E - 230 - mWs 295 - mWs off I - 14000 - sCE CC‘+EE‘ min. typ. max 1 990 - 1290 - 170 - µ 380 - µ mWs rec - 130 - mWs Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 3

... Zweig / per arm d 100µ 100µm Paste grease terminals M4 terminals M8 3(8) vorläufige Daten preliminary data min. typ. max 0,0110 K/W thJC - - 0,0240 K 0,006 K/W thCK 150 ° -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg > 400 M1 4, 1 2250 g Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 4

... VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 2400 VGE = 7V 1800 1200 600 0 0,0 0,5 1,0 FZ 1800 R 12 KL4C 15V GE 1,0 1,5 2,0 2,5 V [V] CE 1,5 2,0 2,5 V [V] CE 4(8) vorläufige Daten ) CE preliminary data 3,0 3,5 4 125°C vj 3,0 3,5 4,0 4,5 Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 5

... Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 3600 3000 2400 1800 1200 600 0 0,0 0,5 FZ 1800 R 12 KL4C 25° 125° [ 25° 125°C 1,0 1,5 2,0 V [V] F 5(8) vorläufige Daten preliminary data ) GE = 20V 2,5 3,0 Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 6

... Erec 800 600 400 200 1800 R 12 KL4C off ± 15V , =0, gon goff 1200 1500 1800 2100 2400 I [ off V = ± 15V , I = 1800A , 6(8) vorläufige Daten preliminary data ) , rec C = 600V 125° 2700 3000 3300 3600 = rec G = 600V , T = 125° Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 7

... FZ 1800 R 12 KL4C Z thJC 0 [sec 0,19 3,50 0,00006 0,0187 0,37 5,37 0,00014 0,0218 V = +15V 400 600 800 V [V] CE 7(8) vorläufige Daten = f (t) preliminary data Zth:Diode Zth:IGBT 10 100 3 4 6,44 0,87 0,080 0,50 3,35 14,92 0,503 0, 125° 1000 1200 1400 Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C preliminary data 8(8) vorläufige Daten Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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