FZ1800R12KL4C Infineon Technologies, FZ1800R12KL4C Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: FZ1800R12KL4C
• Description: IGBT Modules 1200V 1800A SINGLE
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of FZ1800R12KL4C

• Channel Type: N
• Collector-emitter Voltage: 1.2kV
• Gate To Emitter Voltage (max): ±20V
• Mounting: Screw
• Operating Temperature (min): -40C
• Operating Temperature (max): 125C
• Operating Temperature Classification: Automotive
• Configuration: Triple Common Emitter Common Gate
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 1200 V
• Collector-emitter Saturation Voltage: 2.1 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 2850 A
• Gate-emitter Leakage Current: 600 nA
• Power Dissipation: 11.4 KW
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: IHM190
• Ic (max): 1,800.0 A
• Vce(sat) (typ): 2.1 V
• Technology: IGBT2 Low Loss
• Housing: IHM 190 mm
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
pro Zweig / per arm
d
FZ 1800 R 12 KL4C
Paste
100µm / d
grease
3(8)
terminals M4
terminals M8
100µm
R
R
T
T
M1
M2
T
thCK
G
thJC
stg
op
vj
vorläufige Daten
preliminary data
min.
4,25
-40
-40
1,7
8
-
-
-
-
Datenblatt_FZ1800R12KL4C.xls
0,006
> 400
Al
2250
typ.
32
20
2
5
2
-
-
-
-
-
O
3
0,0110
0,0240
max.
5,75
150
125
125
2,3
10
K/W
K/W
K/W
mm
mm
Nm
Nm
Nm
°C
°C
°C
g