TZ430N Infineon Technologies, TZ430N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: TZ430N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TZ430N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,800.0 - 2,200.0 V
• Itsm: 12,000.0 A
• Itavm/tc: 430/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Single SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
N
140
120
100
Netz-Thyristor-Modul
140
120
100
80
60
40
20
80
60
40
20
0
0
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Calculation base P
Calculation base P
100
Berechnungsgrundlage P
Berechnungsgrundlage P
200
Gehäusetemperatur bei Rechteck
Gehäusetemperatur bei Sinus
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Datenblatt / Data sheet
= 30°
200
TAV
TAV
(switching losses should be considered separately)
(switching losses should be considered separately)
400
A 10/04
= 30°
TAV
60°
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
300
TZ430N
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
90°
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
600
120°
60°
400
I
I
TAVM
TAVM
[A]
[A]
180°
90°
0°
0°
500
800
120°
C
C
= f(I
= f(I
Seite/page
600
0
TAVM
TAVM
0
)
)
1000
DC
180°
180°
180°
700
7/12