TZ430N Infineon Technologies, TZ430N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: TZ430N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TZ430N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,800.0 - 2,200.0 V
• Itsm: 12,000.0 A
• Itavm/tc: 430/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Single SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
N
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
2000
1800
1600
1400
1200
1000
Netz-Thyristor-Modul
500
800
600
400
200
0
0
0
0
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0,08
0,10
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0,015
0,020
0,025
0,030
0,040
0,060
0,080
0,100
0,200
0,400
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
20
20
0,010
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
40
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
0,01
T
T
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
A
A
R
[°C]
[°C]
thCA
R
[°C/W]
60
60
thCA
Datenblatt / Data sheet
[°C/W]
80
80
~
~
W 3C
A 10/04
~
~
100
100
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
Parameter:
Parameter:
TZ430N
RMS
120
120
0
0
250
200
500
400
I
RMS
[A]
750
600
RMS
RMS
I
RMS
tot
tot
[A]
1000
Seite/page
800
thCA
thCA
1250
1000
9/12
1500
1200