T2180N12TOF VT Infineon Technologies, T2180N12TOF VT Datasheet - Page 2
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T2180N12TOF VT
Manufacturer Part Number
T2180N12TOF VT
Description
SCRs PCT 1200V 2180A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.T2180N14TOF_VT.pdf
(10 pages)
Specifications of T2180N12TOF VT
Part # Aliases
T2180N12TOF
N
Phase Control Thyristor
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
A 11/09
T2180N
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
vj max
, i
TM
DM
= I
= 0,67 V
TAVM
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
DRM
R
R
T
T
T
t
G
q
F
vj max
c op
stg
thJC
thCH
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
typ.
-40...+125 °C
-40...+150 °C
A 2,8x0,5
A 4,8x0,5
Seite 3
page 3
30...65
0,0125
0,0117
0,0232
0,0225
0,0250
0,0245
Ø 1,5
0,003
0,006
900 g
125 °C
250 µs
25 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
mm
mm
mm
kN
2/10