MJE13009_06 ONSEMI [ON Semiconductor], MJE13009_06 Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: MJE13009_06
• Description: 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
• Manufacturer: ONSEMI [ON Semiconductor]

have been defined and apply to both current and voltage
waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power
supplies and hammer drivers, current and voltage
waveforms are not in phase. Therefore, separate
measurements must be made on each waveform to
determine the total switching time. For this reason, the
following new terms have been defined.
in Figure 13 to aid in the visual identity of these terms.
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
An enlarged portion of the turn−off waveforms is shown
t
t
t
t
t
sv
rv
fi
ti
c
= Crossover Time, 10% V
= Current Fall Time, 90−10% I
= Current Tail, 10−2% I
= Voltage Rise Time, 10−90% V
= Voltage Storage Time, 90% I
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
NOTE: All Data recorded In the Inductive Switching Circuit In Table 1.
AMP
12
I
3
5
8
C
CM
CEM
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Table 3. Typical Inductive Switching Performance
to 10% I
100
100
100
100
B1
CM
_C
T
25
25
25
25
C
CEM
to 10% V
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
SWITCHING TIME NOTES
CM
1000
770
630
820
720
920
640
800
t
ns
sv
CEM
http://onsemi.com
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
MJE13009
9
100
230
100
ns
t
72
55
70
20
32
rv
storage time and the predominant switching power losses
occur during the crossover interval and can be obtained
using the standard equation from AN222/D:
Figure 14. In general, t
currents this relationship may not be valid.
switching is specified at 25_C and has become a benchmark
for designers. However, for designers of high frequency
converter circuits, the user oriented specifications which
make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
switching speeds (t
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
For the designer, there is minimal switching loss during
Typical inductive switching waveforms are shown in
As is common with most switching transistors, resistive
150
160
ns
26
55
27
50
17
24
t
fi
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
P
200
200
c
ns
10
30
t
2
8
2
4
SWT
ti
and t
rv
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
= 1/2 V
sv
+ t
) which are guaranteed at 100_C.
fi
240
320
100
180
120
ns
] t
77
41
54
t
c
CC
c
I
C
. However, at lower test
(t
c
) f