nt1gd64s8hb0fm Nanya Techology, nt1gd64s8hb0fm Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: nt1gd64s8hb0fm
• Description: 200 Pin Unbuffered Ddr So-dimm Based On Ddr333 512mb Bit B Die Device
• Manufacturer: Nanya Techology

NT1GD64S8HB0FM / NT512D64SH8B0GM / NT256D64SH4B0GM
NT1GD64S8HB0FN / NT512D64SH8B0GN / NT256D64SH4B0GN
1GB, 512MB and 256MB
Functional Block Diagram
1 Rank, 4 devices, 32Mx16 DDR SDRAMs (256MB)
REV 1.3
Nov 17, 2005
BA0-BA1
A0-A12
DQS0
DQS1
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
CKE0
CKE1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
Notes :
DM0
DM1
DM2
DM3
1. DQ wiring may differ from that described in this drawing.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships are maintained as shown.
3. DQ/DQS/DM/DQS resistors are 22+/- 5% Ohms.
4. V
STRAP OUT (OPEN): V
STRAP IN (V
DDID
strap connections (for memory device V
LDQS
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
LDQS
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDQS
UDM
UDM
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
I/O 8
I/O 9
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
I/O 8
I/O 9
SS
BA0-BA1 : SDRAMs D0-D3
A0-A12 : SDRAMs D0-D3
CKE : SDRAMs D0-D3
N.C.
): V
D0
D1
: SDRAMs D0-D3
: SDRAMs D0-D3
DD
: SDRAMs D0-D3
is not equal to V
DD
= V
DDQ
DDQ
.
DD
, V
SCL
DDQ
WP
):
V
DD
V
/V
DDSPD
V
V
V
DDID
DDQ
REF
SS
SA0
A0
7
Serial PD
A1
SA1
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQS4
DM5
DM6
DM7
DM4
SA2
A2
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
D0-D3
D0-D3
D0-D3
SPD
LDQS
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
LDQS
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
UDQS
UDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
SDA
D2
D3
CK0
CK1
CK2
© NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
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