T660N Infineon Technologies, T660N Datasheet
T660N
Specifications of T660N
Related parts for T660N
T660N Summary of contents
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... Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N T = -40°C... max Elektrische Eigenschaften T = -40°C... max T = +25°C... T ...
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... Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N Thermische Eigenschaften vj vj max 100 / V/µs, - ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Massbild 1 IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N 1: Anode / Anode Kathode / Cathode 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ A 04/09 Auxiliary Cathode Seite/page 3/10 ...
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... Analytische Funktion / Analytical function: 0,08 0,07 0,06 0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N 0,00013 0,00164 0,00195 0,00018 0,00166 0,00937 0,00013 0,00164 0,00195 0,00018 0,00166 0,00937 0,00013 0,00164 0,00195 0,00018 0,00166 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N Durchlasskennlinie ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00321 0,00554 0,00175 0,00275 0,00327 0,00562 0,00182 ...
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... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N Durchlassverluste 90° 180° 60° θ = 30° 400 600 I [A] TAV Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current θ ...
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... Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 100 200 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N Tc 180° 120° 90° 60° θ = 30° 400 600 800 I [A] TAV Rechteckfö ...
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... Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P 10000 1000 100 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N Steuerkennlinie i [mA] 100 mit Zündbereichen fü with triggering area for Zü ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves von der Anzahl fü ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann T660N A 04/09 Seite/page 10/10 ...