T660N Infineon Technologies, T660N Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: T660N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T660N

• Vdrm/ Vrrm (v): 2,200.0 - 2,600.0 V
• Itsm: 11,500.0 A
• Itavm: 659 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann
N
Phase Control Thyristor
Kühlung / Cooling
kathodenseitig
cathode-sided
anodenseitig
anode-sided
Netz-Thyristor
Erhöhung des Z
two-sided
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
beidseitig
Rise of Z
500
0
1
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
1,2
th DC
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
∆Z
∆Z
∆Z
∆Z
∆Z
∆Z
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
th Θ rec
th Θ rec
th Θ rec
th Θ sin
th Θ sin
th Θ sin
Datenblatt / Data sheet
1,4
Durchlasskennlinie
Θ = 180°
0,00321
0,00175
0,00327
0,00182
0,00335
0,00189
Z
Z
1,6
th Θ rec
th Θ sin
∆Z
T660N
= Z
= Z
th Θ rec
V
T
T
vj
1,8
A 04/09
[V]
= T
th DC
th DC
Θ = 120°
0,00554
0,00275
0,00562
0,00282
0,00571
0,00291
/ ∆Z
vj max
+ Z
+ Z
th Θ sin
2
th Θ rec
th Θ sin
0,00745
0,00421
0,00754
0,00430
0,00765
0,00440
Θ = 90°
2,2
T
= f(v
T
2,4
vj
0,01040
0,00682
0,01050
0,00691
0,01062
0,00702
Θ = 60°
T
= T
)
vj max
Seite/page
2,6
0,01558
0,01205
0,01570
0,01216
0,01583
0,01229
Θ = 30°
2,8
5/10