T660N Infineon Technologies, T660N Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: T660N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T660N

• Vdrm/ Vrrm (v): 2,200.0 - 2,600.0 V
• Itsm: 11,500.0 A
• Itavm: 659 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

IFBIP D AEC / 2009-03-04, H.Sandmann
N
Phase Control Thyristor
kathodenseitig
cathode-sided
anodenseitig
anode-sided
Kühlung /
beidseitig
two-sided
Cooling
Netz-Thyristor
R,t – Werte
Diagramme
Diagramme
0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
Analytische Funktion / Analytical function:
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
R
R
R
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thn
thn
thn
Pos. n
Analytical elements of transient thermal impedance Z
n
n
n
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[s]
[s]
[s]
0,01
Trans. Wärmewid. beidseitig
Datenblatt / Data sheet
0,00013
0,00018
0,00013
0,00018
0,00013
0,00018
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
1
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
0,00166
0,00164
0,00166
0,00164
0,00166
0,00164
2
0,1
T660N
Z
A 04/09
thJC
0,00195
0,00937
0,00195
0,00937
0,00195
0,00937
= f(t)
3
t [s]
0,00968
0,11900
0,02665
0,33800
0,0153
0,1830
Z
1
4
thJC
n
n=1
0,03208
1,14000
0,04283
0,90000
thJC
max
0,0166
0,9390
R
5
for DC
thJC
thn
für DC
1
10
e
Seite/page
6
-
-
-
-
-
-
-t
n
7
-
-
-
-
-
-
100
4/10
c
a
b