hyb18t512160afl-3.7 Infineon Technologies Corporation, hyb18t512160afl-3.7 Datasheet - Page 112

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hyb18t512160afl-3.7

Manufacturer Part Number
hyb18t512160afl-3.7
Description
512-mbit Ddr2 Sdram
Manufacturer
Infineon Technologies Corporation
Datasheet
Table 59
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1) All units in ps.
2) For all input signals
Table 60
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1) All units in ps.
2) For all input signals
Data Sheet
DQS, DQS Differential Slew Rate
4.0 V/ns
t
+100 +45 +100 +45 +100 +45 —
+67
0
DQS, DQS Differential Slew Rate
4.0 V/ns
t
+125 +45 +125 +45 +125 +45 —
+83
0
DS
DS
Derating Values for Data Setup and Hold Time of Differential DQS (DDR2-667)
Derating Values for Data Setup and Hold Time of Differential DQS (DDR2-400 & -533)
t
+21 +67
0
t
+21 +83
0
DH
DH
3.0 V/ns
t
0
–5
3.0 V/ns
t
0
–11
DS
DS
t
t
DS
DS
(total) =
(total) =
t
+21 +67
0
–14 –5
t
+21 +83
0
–14 –11
DH
DH
2.0 V/ns
t
0
–13
2.0 V/ns
t
0
–25
DS
DS
t
t
DS
DS
(base) + ∆
(base) + ∆
t
+21 +97 +33 —
0
–14 +7
–31 –1
t
+21 +95 +33 —
0
–14 +1
–31 –13 –19 –1
DH
DH
1)2)
1)2)
1.8 V/ns 1.6 V/ns 1.4 V/ns 1.2 V/ns
t
+12 +12 +24 +24 —
–10 –42 +2
1.8 V/ns 1.6 V/ns 1.4 V/ns 1.2 V/ns
t
+12 +12 +24 +24 —
–31 –42 –19 –30 –7
DS
DS
t
t
DS
DS
and
and
t
–2
–19 +11 –7
t
–2
DH
DH
t
t
DH
DH
t
+19 +10 +31 +22 —
–10 –59 +2
t
+13 +10 +25 +22 —
–43 –59 –31 –47 –19
DS
DS
(total) =
(total) =
113
t
–30 +14 –18 +26
t
–7
DH
DH
HYB18T512[40/80/16]0AF(L)–[3/3S/3.7/5]
t
t
DH
DH
t
+23 +5
–24 –89 –12
t
+11 +5
–74 –89 –62
(base) + ∆
(base) + ∆
DS
DS
t
–47 +14
t
–18 +5
DH
DH
t
t
AC Timing Measurement Conditions
t
+35
–52
DH
t
+23
–127 –140 –115 –128 –103 –116
DH
DS
DS
t
+17
–6
–35
–77
–140 –20
t
+17
–6
–35
–77
DH
DH
512-Mbit DDR2 SDRAM
1.0 V/ns
t
+38
+26
0
1.0 V/ns
t
+17
–7
–50
DS
DS
09112003-SDM9-IQ3P
t
+6
–23
–65
–28
t
+6
–23
–65
DH
DH
Rev. 1.6, 2005-08
0.8 V/ns
t
+538 –11
+12
–28
0.8 V/ns
t
+5
–38
DS
DS
t
–53
–116
t
–11
–53
DH
DH

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